На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMN55D0UT-7 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-523 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <200 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 25 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <50 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <160 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4 ОмId, Vgs = 100mA, 4V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |