На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMN3150L-7 | DMN3150LW-7 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.25 Вт | <350 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 305 пФVds = 5V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <28 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.2 А | <1.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <85 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <88 мОмId, Vgs = 1.6A, 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |