На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMN3112S-7 | DMN3112SSS-13 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | 8-SOP |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.4 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 268 пФVds = 5V | 268 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.8 А | <6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <57 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |