На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMN3052L-7 | DMN3052LSS-13 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | 8-SOP |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.4 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 555 пФVds = 5V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.4 А | <7.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | <30 мОмId, Vgs = 7.1A, 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |