DMN2112

DMN2112, DMN2112SN-7

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрDMN2112SN-7
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Виробник
Виробник
Diodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<500 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
220 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<1.2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<100 мОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate