На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMN2020LSN-7 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <610 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.149 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 9.4A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 11.6 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |