На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMN2005K-7 | DMN2005LP4K-7 | DMN2005LPK-7 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | 3-DFN | 3-DFN |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <350 мВт | <200 мВт | <450 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | (не задано) | 41 пФVds = 3V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <300 мА | <200 мА | <440 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.7 ОмId, Vgs = 200mA, 2.7V | <1.5 ОмId, Vgs = 10mA, 4V | <1.5 ОмId, Vgs = 10mA, 4V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||