На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | DMG1013T-7 | DMG1013UW-7 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-523 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <270 мВт | <310 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 59.76 пФVds = 16V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <460 мА | (не задано) |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <700 мОмId, Vgs = 350mA, 4.5V | <750 мОмId, Vgs = 430mA, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 622 пCVgs = 4.5V | 622.4 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |