На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | CSD16414Q5 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-QFN |
Виробник | Виробник | Texas Instruments |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3.2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.65 нФVds = 12.5V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <34 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | NexFET™ |
Заряд затвору | QG | 21 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |