На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | CSD16410Q5A | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-QFN |
Виробник | Виробник | Texas Instruments |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 740 пФVds = 12.5V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.5 мОмId, Vgs = 17A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | NexFET™ |
Заряд затвору | QG | 5 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |