На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BUZ32E3045A | BUZ32L3045A | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB, D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220AB, TO-220AB |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір |
Потужність | P | <75 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 530 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <9.5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 6A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |