BUZ30AE3045A

BUZ30, BUZ30A, BUZ30AE3045A, BUZ30AL3045A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBUZ30ABUZ30AE3045ABUZ30AL3045A
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220ABTO-220ABD²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<125 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.9 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<21 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<130 мОмId, Vgs = 13.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
SIPMOS®
FET Feature
FET Feature
Standard