На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BUK9608-55,118 | BUK9608-55A,118 | BUK9608-55B,118 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <187 Вт | <253 Вт | <203 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.9 нФVds = 25V | 6.021 нФVds = 25V | 5.28 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 25A, 5V | <7.5 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <7 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | (не задано) | 92 нCVgs = 5V | 45 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||