На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BUK9606-40B,118 | BUK9606-55A,118 | BUK9606-55B,118 | BUK9606-75B,118 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <203 Вт | <300 Вт | <258 Вт | <300 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.901 нФVds = 25V | 8.6 нФVds = 25V | 7.565 нФVds = 25V | 11.693 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | <55 В | <55 В | <75 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <5.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <5.4 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <5.5 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | |||
Заряд затвору | QG | 44 нCVgs = 5V | (не задано) | 60 нCVgs = 5V | 95 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||