BUK7609

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		BUK7609-55A,118	BUK7609-75A,118
Корпус мікросхеми	Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Поверхневий
Потужність	P	<211 Вт	<230 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	3.271 нФVds = 25V	6.76 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<55 В	<75 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<108 А	<75 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<9 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серія MOSFET	Серія	TrenchMOS™
Заряд затвору	Q_G	62 нCVgs = 0V	(не задано)
FET Feature	FET Feature	Standard