BUK714R1-40BT,118

BUK714, BUK714R1-40BT,118

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBUK714R1-40BT,118
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (4 leads + tab)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<272 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
6.808 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В
Постійний струм стоку
IDSS
<75 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<4.1 мОмId, Vgs = 50A, 10V
Серія MOSFET
Серія
TrenchMOS™
Заряд затвору
QG
83 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Diode (Isolated)