На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BUK7109-75AIE,118 | BUK7109-75ATE,118 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (4 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <272 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.7 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 50A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 121 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Current Sensing | Diode (Isolated) |