На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BUK7107-40ATC,118 | BUK7107-55AIE,118 | BUK7107-55ATE,118 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (4 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <272 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.5 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | <55 В | <55 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7 мОмId, Vgs = 50A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 108 нCVgs = 10V | 116 нCVgs = 10V | 116 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | Current Sensing | Diode (Isolated) |