BTS110

BTS110, BTS110E3045A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBTS110E3045A
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<40 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
600 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<10 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<200 мОмId, Vgs = 5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
TEMPFET®
FET Feature
FET Feature
Standard