На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSZ105N04NSG | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-TSDSON |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <35 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <40 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |