На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSZ100N03LSG | BSZ100N03MSG | BSZ100N06LS3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-TSDSON | TDSON-8 | 8-TSDSON |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <30 Вт | <30 Вт | <50 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.5 нФVds = 15V | 1.7 нФVds = 15V | 3.5 нФVds = 30V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <30 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <40 А | <40 А | <20 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <9.1 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||