На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS87,115 | BSS87E6327 | BSS87E6327T | BSS87E6433 | BSS87L6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <1 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 120 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | <240 В | <240 В | <240 В | <240 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <400 мА | <260 мА | <260 мА | <260 мА | <260 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3 ОмId, Vgs = 400mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | (не задано) | 5.5 нCVgs = 10V | 5.5 нCVgs = 10V | 5.5 нCVgs = 10V | 5.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |