BSS84_D87Z

BSS84, BSS84,215, BSS84-7, BSS84-7-F, BSS84_D87Z, BSS84LT1, BSS84LT1G, BSS84P-E6327, BSS84PE6433, BSS84PL6327, BSS84PL6433, BSS84PW, BSS84PWL6327, BSS84TA, BSS84TC, BSS84W-7, BSS84W-7-F

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBSS84,215BSS84-7BSS84-7-FBSS84_D87ZBSS84LT1BSS84LT1GBSS84P-E6327BSS84PE6433BSS84PL6327BSS84PL6433BSS84PWBSS84PWL6327BSS84TABSS84TCBSS84W-7BSS84W-7-F
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsDiodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes IncDiodes Inc
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<250 мВт<300 мВт<300 мВт<360 мВт<225 мВт<225 мВт<360 мВт<360 мВт<360 мВт<360 мВт<300 мВт<300 мВт<360 мВт<360 мВт<200 мВт<200 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
45 пФVds = 25V45 пФVds = 25V45 пФVds = 25V73 пФVds = 25V30 пФVds = 5V30 пФVds = 5V19 пФVds = 25V19 пФVds = 25V19 пФVds = 25V19 пФVds = 25V19.1 пФVds = 25V19.1 пФVds = 25V40 пФVds = 25V40 пФVds = 25V45 пФVds = 25V45 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<60 В<60 В<60 В<60 В<60 В<60 В<50 В<50 В<50 В<50 В
Постійний струм стоку
IDSS
<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА<170 мА<170 мА<170 мА<170 мА<150 мА<150 мА<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<10 ОмId, Vgs = 130mA, 10V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 150mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 150mA, 10V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
Серія MOSFET
Серія
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвору
QG
1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandardLogic Level GateLogic Level Gate