На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS83,215 | BSS83PE6327 | BSS83PL6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-23 | SOT-23 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <230 мВт | <360 мВт | <360 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.5 пФVds = 10V | 78 пФVds = 25V | 78 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <10 В | <60 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <50 мА | <330 мА | <330 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | P-ch | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 ОмId, Vgs = 100ВµA, 10V | <2 ОмId, Vgs = 330mA, 10V | <2 ОмId, Vgs = 330mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | (не задано) | 3.57 нCVgs = 10V | 3.57 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||