На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS209PW | BSS209PWL6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-323 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <520 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 89.9 пФVds = 15V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <580 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <550 мОмId, Vgs = 580mA, 4.5V | |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 1.38 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |