На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS192,115 | BSS192,135 | BSS192E6327 | BSS192PE6327 | BSS192PE6327T | BSS192PL6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <1 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 90 пФVds = 25V | 90 пФVds = 25V | 130 пФVds = 25V | 104 пФVds = 25V | 104 пФVds = 25V | 104 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <240 В | <240 В | <240 В | <250 В | <250 В | <250 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <200 мА | <200 мА | <150 мА | <190 мА | <190 мА | <190 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | <20 ОмId, Vgs = 150mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 190mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 190mA, 10V | <12 ОмId, Vgs = 190mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 6.1 нCVgs = 10V | 6.1 нCVgs = 10V | 6.1 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||