На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS169E6327 | BSS169E6906 | BSS169L6327 | BSS169L6906 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <360 мВт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 68 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <170 мА | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | |||
Заряд затвору | QG | 2.8 нCVgs = 7V | |||
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | |||