На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS127E6327 | BSS127L6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <500 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 28 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <21 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | |
Заряд затвору | QG | 2.1 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |