На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSP89,115 | BSP89E6327 | BSP89L6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1.5 Вт | <1.8 Вт | <1.8 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 120 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <240 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <375 мА | <350 мА | <350 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 340mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | (не задано) | 6.4 нCVgs = 10V | 6.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |