BSP615S2L

BSP615, BSP615S2L

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBSP615S2L
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.8 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
330 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2.8 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<90 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
Серія MOSFET
Серія
OptiMOS™
Заряд затвору
QG
10 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate