На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSP322PL6327 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.8 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 372 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | 16.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |