BSP321PL6327

BSP321, BSP321PL6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBSP321PL6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.8 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
319 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<980 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<900 мОмId, Vgs = 980mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
SIPMOS®
Заряд затвору
QG
12 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate