На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSP295E6327 | BSP295E6327T | BSP295L6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1.8 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 368 пФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <1.8 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <300 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | ||
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||