На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSP135E6327 | BSP135E6906 | BSP135L6327 | BSP135L6433 | BSP135L6906 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <1.8 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 146 пФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <120 мА | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 ОмId, Vgs = 120mA, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | OptiMOS™ | SIPMOS® |
Заряд затвору | QG | 4.9 нCVgs = 5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | ||||