На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSP129E6327 | BSP129E6327T | BSP129L6327 | BSP129L6906 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.8 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 108 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <240 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <350 мА | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 350mA, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | |||
Заряд затвору | QG | 5.7 нCVgs = 5V | |||
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | |||