BSP110

BSP110, BSP110,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBSP110,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<6.25 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
40 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<520 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<10 ОмId, Vgs = 150mA, 5V
Серія MOSFET
Серія
TrenchMOS™
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate