BSO200N03S

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		BSO200N03S	BSO200P03S
Корпус мікросхеми	Корпус	DSO-8
Виробник	Виробник	Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<1.56 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	840 пФVds = 15V	2.33 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<30 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<7 А	<7.4 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch	P-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<20 мОмId, Vgs = 8.8A, 10V	<20 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V
Серія MOSFET	Серія	OptiMOS™
Заряд затвору	Q_G	6.5 нCVgs = 5V	54 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate