На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSO130N03MSG | BSO130P03S | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DSO-8 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.56 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 15V | 3.52 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | <9.2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <13 мОмId, Vgs = 11.1A, 10V | <13 мОмId, Vgs = 11.3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 10V | 81 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |