На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSL211SP | BSL211SPL6327 | BSL211SPT | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-TSOP | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <2 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 654 пФVds = 15V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.7 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <67 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V | ||
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 12.4 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||