На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSH121,135 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <700 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 40 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <300 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 75mA, 2.5V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 1 нCVgs = 8V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |