На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC130P03LSG | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.67 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <22.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <13 мОмId, Vgs = 22.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 73.1 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |