На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC123N08NS3G | BSC123N10LSG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <66 Вт | <114 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.87 нФVds = 40V | 4.9 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <80 В | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <55 А | <71 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12.3 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <12.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 25 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |