BSC100N03MSG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		BSC100N03LSG	BSC100N03MSG	BSC100N06LS3G	BSC100N10NSFG
Корпус мікросхеми	Корпус	TDSON-8
Виробник	Виробник	Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<30 Вт	<30 Вт	<50 Вт	<156 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.5 нФVds = 15V	1.7 нФVds = 15V	3.5 нФVds = 30V	2.9 нФVds = 50V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<30 В	<30 В	<60 В	<100 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<44 А	<44 А	<50 А	<90 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<10 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<10 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<10 мОмId, Vgs = 50A, 10V	<10 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серія MOSFET	Серія	OptiMOS™
Заряд затвору	Q_G	17 нCVgs = 10V	23 нCVgs = 10V	45 нCVgs = 10V	44 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard