На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC090N03LSG | BSC090N03MSG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <32 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.5 нФVds = 15V | 1.9 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <48 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 18 нCVgs = 10V | 24 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |