На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC080N03LSG | BSC080N03MSG | BSC080P03LSG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <35 Вт | <35 Вт | <89 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.7 нФVds = 15V | 2.1 нФVds = 15V | 6.14 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <53 А | <53 А | <30 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | N-ch | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 30A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 21 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 122.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||