На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC079N03SG | BSC079N10NSG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <60 Вт | <156 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.23 нФVds = 15V | 5.9 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <40 А | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.9 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <7.9 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 5V | 87 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |