На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC059N03SG | BSC059N03ST | BSC059N04LSG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <48 Вт | <48 Вт | <50 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.67 нФVds = 15V | 2.67 нФVds = 15V | 3.2 нФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <30 В | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <73 А | <50 А | <73 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <5.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <5.9 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 21 нCVgs = 5V | 21 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||