На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC057N03LSG | BSC057N03MSG | BSC057N08NS3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <45 Вт | <45 Вт | <114 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.4 нФVds = 15V | 3.1 нФVds = 15V | 3.9 нФVds = 40V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <30 В | <80 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <71 А | <71 А | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | 40 нCVgs = 10V | 56 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |