На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC042N03LSG | BSC042N03MSG | BSC042N03SG | BSC042N03ST | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | |||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <57 Вт | <57 Вт | <62.5 Вт | <62.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.5 нФVds = 15V | 4.3 нФVds = 15V | 3.66 нФVds = 15V | 3.66 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <93 А | <93 А | <95 А | <50 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | |||
Заряд затвору | QG | 42 нCVgs = 10V | 55 нCVgs = 10V | 28 нCVgs = 5V | 28 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||