На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSC030N03MSG | BSC030N04NSG | BSC030P03NS3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TDSON-8 | ||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <69 Вт | <83 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.7 нФVds = 15V | 4.9 нФVds = 20V | 14 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <40 В | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | N-ch | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 73 нCVgs = 10V | 61 нCVgs = 10V | 186 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate |